상세정보
| 기술/서비스 소개 | 차세대 반도체(DRAM/NAND, Foundry) 및 Powerdevice, LED 공정에 사용할 수 있는 Laser 열처리 장비 |
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| 회사 소개 | 차세대 반도체(DRAM/NAND, Foundry) 및 Powerdevice, LED의 열처리 장비 개발/생산 (Laser Anneal 장비) |
| IR 기술/서비스 소개 |
(주)알엔알랩의 핵심 기술은 1200℃ 이상의 높은 온도에서 ns(nano-second) ~ ms(mili-second) 영역의 매우 짧은 시간 열처리를 진행하여 차세대 transistor의 특성에 필요한 source 및 drain의 활성화(activation)을 통한 저저항화가 가능하고, SCE(Short Channel Effect)를 발생시키는 Source/Drain 영역의 높은 농도의 불순물의 열처리시 채널(channel)로의 확산(diffusion)을 최소화하여 SCE(Short Channel Effect) 방지하여 transistor의 성능을 개선할 수 있는 레이저를 이용한 열처리 기술입니다. (순수 열처리 공정) 향후 ㈜알엔알랩의 기술은 반도체에 사용되는 도체인 금속(metal)과 부도체인 유전물질(dielectric) 물질의 고사양화를 위한 물질변환(Material Modulation)에도 사용될 것입니다. (Post Deposition Anneal, PDA 공정) |
| 수상 실적 | '2024 제10회 대한민국 리딩기업대상' 시상식에서 반도체 열처리 장비 부문 'R&D혁신대상' 수상 |